43A/ 1200V/ NPT Series N-Channel IGBT The part **HGTG11N120CN** is manufactured by **HARRIS** (now part of **Littelfuse**). Below are its key specifications:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200V  
- **Current Rating (I_C)**: 11A  
- **Package**: TO-247  
- **Technology**: NPT (Non-Punch Through)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Switching Speed**: Moderate, optimized for efficiency  
- **Applications**: Power switching, motor drives, inverters  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.