35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG10N120BND is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C)**: 20A  
- **Current Rating (I_C @100°C)**: 10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.3V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 18ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 140ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-247  

This IGBT is designed for high-power switching applications, including motor drives, inverters, and power supplies.

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **HGTG10N120BND** is manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)**.

### Specifications:
- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200V
- **Current Rating (I_C)**: 20A
- **Package**: TO-247
- **Technology**: NPT (Non-Punch Through)
- **Features**: Low saturation voltage, fast switching, and high ruggedness.

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet from FSC.