14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The part **HGT1S7N60C3DS** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Below are its key specifications:

- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 1.7A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5Ω (max at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet)