14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs The part **HGT1S7N60B3S** is a power MOSFET manufactured by **HARRIS (now part of Renesas Electronics)**. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Voltage Rating (VDS)**: 600V  
3. **Current Rating (ID)**: 1.7A (continuous)  
4. **Power Dissipation (PD)**: 50W  
5. **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
6. **On-Resistance (RDS(on))**: 7Ω (typical)  
7. **Package**: TO-92 (through-hole)  
8. **Application**: High-voltage switching in power supplies, inverters, and motor control.  

This part is obsolete and may no longer be in production. For alternatives, consult the manufacturer's documentation or distributor listings.