600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The part **HGT1S7N60A4DS** is manufactured by **FAI (Fairchild Semiconductor)**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V  
- **Current Rating (I_D)**: 1.7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-92  
- **Application**: Switching applications  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the HGT1S7N60A4DS.