6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The part **HGT1S3N60C3DS** is a semiconductor device manufactured by **HARRIS**. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Voltage Rating**: 600V  
3. **Current Rating**: 1A  
4. **Package**: TO-92  
5. **Technology**: High Voltage MOSFET  
6. **Application**: Designed for high-voltage switching applications  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet from HARRIS (now part of **Littelfuse** due to acquisitions).