700V N-Channel MOSFET The HFC1N70 is a power MOSFET manufactured by SEMIHOW. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 700V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on SEMIHOW's datasheet for the HFC1N70 MOSFET.