PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The part H8550 is manufactured by 高科 (Gaoke). Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** 高科 (Gaoke)  
- **Part Number:** H8550  
- **Type:** Transistor (likely an NPN bipolar junction transistor, but exact type should be verified with datasheet)  
- **Package:** TO-92 (common through-hole package)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 25V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60-300 (varies by batch)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~150MHz  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR The part H8550 is manufactured by **Honeywell**.  

**Specifications:**  
- **Type:** Pressure sensor/transducer  
- **Pressure Range:** 0 to 1000 psi (pounds per square inch)  
- **Output:** 4-20 mA (milliampere)  
- **Accuracy:** ±0.25% of full scale  
- **Power Supply:** 10-30 VDC  
- **Electrical Connection:** DIN 43650 connector  
- **Process Connection:** 1/4" NPT male  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to 85°C (-40°F to 185°F)  
- **Material:** Stainless steel wetted parts  
- **Media Compatibility:** Compatible with gases and non-corrosive liquids  
- **Certifications:** CE, RoHS compliant  

This information is based on Honeywell's official documentation for the H8550 pressure sensor.