Collector Power Dissipation: PC=0.5W, Collector Current: IC=1.5A The part H8050 is manufactured by 高科 (Gaoke). Its specifications include:

- **Type**: NPN transistor
- **Material**: Silicon (Si)
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 1.5A
- **Maximum Power Dissipation (P_d)**: 1W
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are standard for the H8050 transistor under typical conditions.

Collector Power Dissipation: PC=0.5W, Collector Current: IC=1.5A The part H8050 is a transistor manufactured by various companies, including **Changjiang Electronics Tech (CJ)** and **Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd (JCET)**.  

### **Specifications (for H8050 transistor):**  
- **Type:** NPN bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (max)  
- **Power Dissipation (P_d):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** Typically 120–400 (varies by manufacturer)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~100MHz  

### **Common Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

Note: Exact parameters may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise specifications.

Collector Power Dissipation: PC=0.5W, Collector Current: IC=1.5A The part H8050 is manufactured by GUOCHAN. However, the provided knowledge base does not contain specific details about the specifications of this part. For accurate specifications, please refer to the manufacturer's official documentation or datasheet.