256Mb Synchronous DRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O The part **H57V2562GTR-50C** is a **256Mb (32M x 8) Mobile Low Power DDR SDRAM** manufactured by **Hynix**. Here are its key specifications:  

- **Density**: 256Mb  
- **Organization**: 32M x 8  
- **Voltage**: 1.8V  
- **Speed**: 50MHz (CL=3)  
- **Package**: 60-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Interface**: LVCMOS  
- **Refresh**: 8K/64ms (self-refresh supported)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Mobile-optimized low-power design  
  - Auto & self-refresh modes  
  - Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, full page)  
  - Double Data Rate (DDR) architecture  

For exact mechanical and electrical details, refer to the official Hynix datasheet.