Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The part **H2N6517** is a **N-channel enhancement mode MOSFET** manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Package:** TO-220  

This MOSFET is designed for **high-voltage switching applications**, including power supplies and motor control.  

For exact details, refer to the **official datasheet** from STMicroelectronics.