Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The 2N4401 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Below are its key specifications:  

- **Transistor Type**: NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100 to 300 (varies with operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The 2N4401 is available in various packages, including TO-92, SOT-23, and others, depending on the manufacturer. Common manufacturers include ON Semiconductor, Fairchild (now part of ON Semi), and STMicroelectronics.  

For exact specifications, always refer to the manufacturer's datasheet.

Sincerity Mocroelectronics - NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The H2N4401 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Below are the key specifications from the manufacturer HI-SINCE:  

- **Type**: NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 600mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typically measured at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on standard testing conditions. For exact performance under specific conditions, refer to the manufacturer's datasheet.