- **Type**: High-speed, dual common-emitter NPN transistor array  
- **Voltage Rating**:  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
- **Current Rating**:  
  - Continuous Collector Current (IC): 500mA per transistor  
- **Power Dissipation (PD)**: 625mW per transistor  
- **Switching Characteristics**:  
  - Turn-on Time (ton): 4ns (typical)  
  - Turn-off Time (toff): 3ns (typical)  
- **Gain Bandwidth Product (fT)**: 8GHz (typical)  
- **Package**: 8-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance under specific conditions, refer to the official documentation.