600V 25A HEXFRED Discrete Diode in a TO-220AC package The part HFA25TB60 is a 600V, 25A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:

1. **Voltage Ratings:**
   - Collector-Emitter Voltage (V_CES): **600V**
   - Gate-Emitter Voltage (V_GES): **±20V**

2. **Current Ratings:**
   - Collector Current (I_C @25°C): **25A**
   - Collector Current (I_C @100°C): **15A**
   - Peak Collector Current (I_CM): **50A**

3. **Power Dissipation:**
   - Total Power Dissipation (P_D @25°C): **160W**
   - Total Power Dissipation (P_D @100°C): **80W**

4. **Switching Characteristics:**
   - Turn-On Delay Time (t_d(on)): **55ns**
   - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): **320ns**
   - Fall Time (t_f): **75ns**

5. **Thermal Resistance:**
   - Junction-to-Case (R_θJC): **0.78°C/W**
   - Junction-to-Ambient (R_θJA): **62°C/W**

6. **Operating Temperature Range:**
   - Junction Temperature (T_J): **-55°C to +150°C**

7. **Package Type:**
   - TO-247AC (3-pin package)

These specifications are based on the manufacturer's official datasheet for the HFA25TB60 IGBT.