1200V 16A HEXFRED Discrete Diode in a TO-220AC package The part **HFA16TB120** is a high-frequency IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by **Hitachi**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (Vces):** 1200V  
- **Current Rating (Ic):** 16A  
- **Configuration:** Dual IGBT (half-bridge)  
- **Package Type:** Module  
- **Switching Frequency:** Designed for high-frequency applications  
- **Applications:** Used in power electronics such as inverters, motor drives, and industrial power supplies  

For exact datasheet details, refer to the official Hitachi documentation.

1200V 16A HEXFRED Discrete Diode in a TO-220AC package

1200V 16A HEXFRED Discrete Diode in a TO-220AC package The part HFA16TB120 is manufactured by International Rectifier (IR). It is a high-frequency IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. Key specifications include:

- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 16A  
- **Maximum Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Switching Speed:** Designed for high-frequency applications  
- **Package Type:** TO-247 or similar module package  

For detailed datasheet specifications, refer to the official IR documentation.

1200V 16A HEXFRED Discrete Diode in a TO-220AC package