400V 135A HEXFRED Discrete Reverse Diode in a D-67 Half-Pak package The part **HFA135NH40R** is manufactured by **Renesas Electronics**.  

### Key IR Specifications:  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 40V  
- **Current Rating (I_D)**: 135A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 540A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.3mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 7400pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1100pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 300pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 32ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 28ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 15ns (typical)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the **HFA135NH40R** MOSFET.

400V 135A HEXFRED Discrete Reverse Diode in a D-67 Half-Pak package