1200V 8A HEXFRED Discrete Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package The part HFA08TB120S is manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key IR specifications for this part:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200V  
- **Current Rating (I_C)**: 8A  
- **Package**: TO-220AB  
- **Technology**: NPT (Non-Punch Through)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 8A)  
- **Switching Speed**: Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the HFA08TB120S.

1200V 8A HEXFRED Discrete Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package