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HER1605G from SHS

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HER1605G

Manufacturer: SHS

Top Electronics - 16A HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HER1605G SHS 50 In Stock

Description and Introduction

Top Electronics - 16A HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER The HER1605G is a high-efficiency rectifier diode manufactured by SHS (Shanghai Hua Hong Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: High-efficiency rectifier diode  
- **Package**: DO-201AD  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 16A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 200A  
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 600V  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1V (typical at 8A)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5μA (typical at 600V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG)**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on standard testing conditions. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the official datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Top Electronics - 16A HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER # Technical Document: HER1605G Ultrafast Rectifier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The HER1605G is a 600V, 16A ultrafast recovery rectifier diode primarily employed in high-frequency switching power conversion circuits. Its ultrafast recovery characteristics (typically 35ns) make it suitable for applications where switching losses and electromagnetic interference (EMI) must be minimized.

 Primary applications include: 
-  Freewheeling/Clamping Diodes  in switch-mode power supplies (SMPS), particularly in flyback and forward converter topologies
-  Output Rectification  in AC-DC converters operating at frequencies above 20kHz
-  Snubber Circuits  for voltage spike suppression across switching transistors (MOSFETs/IGBTs)
-  Inverter/Converter Circuits  in motor drives, UPS systems, and welding equipment

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics:  High-efficiency adapters, LED drivers, and TV power supplies
-  Industrial Systems:  PLC power modules, industrial motor drives, and robotic control systems
-  Renewable Energy:  Solar microinverters, charge controllers, and wind turbine converters
-  Automotive:  On-board chargers (OBC) for electric vehicles and DC-DC converters
-  Telecommunications:  Server power supplies and telecom rectifiers

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Recovery Losses:  Ultrafast recovery time reduces switching losses significantly compared to standard recovery diodes
-  High Surge Capability:  Withstands high inrush currents (IFSM = 150A typical)
-  Soft Recovery Characteristics:  Minimizes voltage overshoot and ringing, reducing EMI generation
-  High Temperature Operation:  Rated for junction temperatures up to 175°C
-  Low Forward Voltage:  Typically 1.25V at 16A, improving efficiency in high-current applications

 Limitations: 
-  Higher Cost:  Premium over standard recovery diodes due to specialized manufacturing
-  Reverse Recovery Charge (Qrr):  While low compared to standard diodes, still higher than SiC Schottky alternatives
-  Thermal Management:  Requires proper heatsinking at full rated current
-  Voltage Rating:  600V may be insufficient for some high-voltage industrial applications requiring 1000V+ ratings

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Thermal Management 
-  Problem:  Operating at full rated current without sufficient heatsinking causes thermal runaway
-  Solution:  Calculate thermal resistance (RθJA) requirements based on maximum ambient temperature and power dissipation (P = VF × IF). Use thermal pads or compound with proper mounting torque (0.5-0.6 N·m recommended)

 Pitfall 2: Voltage Overshoot During Recovery 
-  Problem:  Parasitic inductance in circuit loops causes excessive voltage spikes during reverse recovery
-  Solution:  Implement snubber circuits (RC networks) across the diode and minimize loop area in PCB layout

 Pitfall 3: Avalanche Energy Mismanagement 
-  Problem:  Exceeding single-pulse avalanche energy rating during fault conditions
-  Solution:  Design clamping circuits to limit voltage below maximum repetitive reverse voltage (VRRM) or select higher voltage rating with margin

 Pitfall 4: High-Frequency Ringing 
-  Problem:  Parasitic capacitance and inductance causing oscillations during switching transitions
-  Solution:  Use gate resistors on switching transistors, implement ferrite beads, and optimize PCB layout for minimal parasitics

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 With Switching Transistors: 
- Ensure diode recovery time is compatible with transistor switching speed
- Fast-recovery diodes may

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