INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT8G132 is manufactured by Toshiba. It is a high-speed, low-power 8-Gigabit (1G x 8) NAND flash memory device. Key specifications include:  

- **Density**: 8Gb (1G x 8)  
- **Interface**: Asynchronous NAND  
- **Supply Voltage**: 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Page Size**: 2048 bytes + 64 bytes spare  
- **Block Size**: 128KB (64 pages per block)  
- **Read Performance**: Fast access time  
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles (typical)  
- **Package**: TSOP48  

This device is commonly used in consumer electronics, embedded systems, and storage applications.