INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT8G121 is manufactured by TOS (Toshiba). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: TOS (Toshiba)  
2. **Part Number**: GT8G121  
3. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
4. **Voltage Rating**: 1200V  
5. **Current Rating**: 8A  
6. **Package**: TO-220F (isolated type)  
7. **Features**:  
   - Low saturation voltage  
   - Fast switching speed  
   - High reliability  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.