INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT8G103 is manufactured by TOS (Toshiba). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** TOS (Toshiba)  
- **Part Number:** GT8G103  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 8A  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Applications:** Power switching in inverters, motor drives, and other high-efficiency systems  

This information is based on available technical documentation. For precise details, always refer to the official datasheet from Toshiba.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT8G103 is manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications based on the available knowledge:  

- **Manufacturer**: TOSHIBA  
- **Part Number**: GT8G103  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: TO-220SIS  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 80A  
- **Power Dissipation (PD)**: 100W  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This information is strictly based on the provided knowledge base. For further details, refer to the official TOSHIBA datasheet.