INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS **Introduction to the GT80J101 by TOSHIBA**  

The GT80J101 is a high-performance electronic component designed by TOSHIBA, offering reliable functionality for advanced power applications. As part of TOSHIBA’s semiconductor lineup, this component is engineered to meet demanding requirements in industrial and commercial systems, ensuring efficiency and durability.  

Featuring robust construction, the GT80J101 is optimized for high-voltage and high-current operations, making it suitable for power conversion, motor control, and energy management solutions. Its design emphasizes thermal stability and low power loss, contributing to extended operational lifespans in challenging environments.  

With precise electrical characteristics, the GT80J101 provides consistent performance, making it a preferred choice for engineers seeking dependable power semiconductor solutions. TOSHIBA’s commitment to quality ensures that this component adheres to stringent industry standards, delivering both reliability and precision.  

Whether integrated into industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, the GT80J101 exemplifies TOSHIBA’s expertise in power semiconductor technology. Its versatility and high-performance attributes make it a valuable component for modern electronic designs requiring efficiency and resilience.  

For detailed specifications and application guidelines, consulting the official datasheet is recommended to ensure optimal integration into system designs.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The GT80J101 is a power semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**: 600V  
3. **Current Rating**: 80A  
4. **Package**: TO-3P(N)  
5. **Applications**: Power switching in inverters, motor drives, and industrial equipment  
6. **Features**: Low saturation voltage, high-speed switching, and built-in fast recovery diode  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to Toshiba's official datasheet for the GT80J101.