INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The GT60M303 is a power transistor module manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 60A  
- **Configuration**: Single IGBT with a built-in freewheeling diode  
- **Package**: Module type  
- **Applications**: Power conversion, motor control, and industrial inverters  

For detailed datasheets or further technical information, refer to Toshiba's official documentation.