INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The GT60M302 is a power transistor module manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 60A  
- **Maximum Collector Power Dissipation (P_C)**: 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -40°C to 150°C  
- **Package Type**: Module (typically TO-247 or similar power package)  

For exact mechanical dimensions and additional electrical characteristics, refer to the official TOSHIBA datasheet.