Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT The 4th Generation Soft Switching Applications The GT60J322 is a power semiconductor module manufactured by Toshiba. Below are its specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module.  
2. **Voltage Rating**: 600V.  
3. **Current Rating**: 60A (collector current).  
4. **Configuration**: Dual IGBT with anti-parallel diode (2-in-1 module).  
5. **Package**: Isolated type module.  
6. **Applications**: Used in motor drives, inverters, and industrial power control systems.  
7. **Features**:  
   - Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
   - High-speed switching.  
   - Built-in temperature sensor (NTC thermistor) for thermal monitoring.  

For precise electrical characteristics, mechanical dimensions, or thermal data, refer to Toshiba's official datasheet for the GT60J322.