INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS The GT5J301 is a power semiconductor device manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**: 600V  
3. **Current Rating**: 50A  
4. **Package**: TO-3P  
5. **Features**:  
   - Low saturation voltage  
   - High-speed switching  
   - Built-in fast recovery diode  
6. **Applications**:  
   - Motor drives  
   - Power inverters  
   - Switching power supplies  

This information is based on TOSHIBA's official documentation for the GT5J301.