Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The GT50J325 is a power semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (Vces)**: 600V  
- **Current (Ic)**: 50A  
- **Power Dissipation (Pc)**: 200W  
- **Package**: TO-3P  
- **Configuration**: Single IGBT with built-in diode  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 1.7V (typical)  
- **Switching Characteristics**: Fast switching speed  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the GT50J325.