Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT The GT40T302 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications:  

- **Voltage (Vces):** 600V  
- **Current (Ic):** 40A  
- **Power Dissipation (Pc):** 200W  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-on time (ton): 0.15µs (typical)  
  - Turn-off time (toff): 0.35µs (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to 150°C  
- **Applications:** Power conversion, motor control, inverters  

For exact datasheet details, refer to TOSHIBA's official documentation.