INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The GT40T101 is a power transistor manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 400V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Power Dissipation (PC)**: 100W
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at IC = 5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (min)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P (isolated type)

This transistor is designed for high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and motor control.