Injection Enhanced Gate Transistor Silicon N Channel IEGT Voltage Resonance Inverter Switching Application The GT40Q321 is a NAND flash memory chip manufactured by Toshiba. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Memory Type**: NAND Flash  
- **Density**: 4Gb (512MB)  
- **Organization**: x8 (8-bit I/O)  
- **Supply Voltage**: 2.7V - 3.6V  
- **Page Size**: 2KB + 64B spare area  
- **Block Size**: 128KB (64 pages per block)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Package**: TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per block  
- **Data Retention**: 10 years  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the GT40Q321.