Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The GT30J324 is a power transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W  
- **Package**: TO-3P  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 30A, V_GE = 15V)  
- **Switching Characteristics**:  
  - Turn-on Delay Time (t_d(on)): 90ns (typical)  
  - Turn-off Delay Time (t_d(off)): 350ns (typical)  

This information is based on TOSHIBA's datasheet for the GT30J324.