INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT THE 4TH GENERATION CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS The GT30J322 is a power transistor manufactured by TOS (Toshiba). Here are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Current (I_C)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W  
- **Package**: TO-3P  
- **Applications**: Power switching in inverters, motor drives, and industrial equipment  

These specifications are based on standard datasheet information. For precise details, refer to the official Toshiba documentation.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT THE 4TH GENERATION CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS The GT30J322 is a power transistor manufactured by Toshiba. Here are its specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Current (I_C)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W  
- **Package**: TO-3P  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 30A, V_GE = 15V)  
- **Switching Characteristics**:  
  - Turn-on Delay Time (t_d(on)): 60ns (typical)  
  - Turn-off Delay Time (t_d(off)): 300ns (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the GT30J322.