Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications The GT30J311 is a power transistor manufactured by **Toshiba**. Below are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Current (I_C)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 150W  
- **Package**: TO-3P  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 30A, V_GE = 15V)  
- **Switching Speed**: Fast switching characteristics  

This transistor is commonly used in power electronics applications such as inverters and motor drives.  

(Source: Toshiba datasheet for GT30J311)