Discrete IGBT The GT30J122 is a power semiconductor device manufactured by Toshiba. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)  
2. **Voltage Rating**: 1200V  
3. **Current Rating**: 30A  
4. **Package**: TO-3P  
5. **Features**:  
   - Low saturation voltage (VCE(sat))  
   - Fast switching speed  
   - High input impedance  
   - Built-in fast recovery diode (FRD)  

For detailed electrical characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.