Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The GT30J121 is a power transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating (Vces)**: 1200V  
3. **Current Rating (Ic)**: 30A  
4. **Power Dissipation (Pc)**: 200W  
5. **Package**: TO-3P  
6. **Gate-Emitter Voltage (VGE)**: ±20V  
7. **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))**: 2.5V (typical)  
8. **Switching Speed**: Fast switching characteristics  
9. **Applications**: Used in power conversion systems, inverters, and motor control circuits.  

For exact performance characteristics, refer to TOSHIBA’s official datasheet.