Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications The GT25Q101 is a serial NOR Flash memory manufactured by TOS (Tianjin Zhonghuan Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Density**: 1Mb (128KB)
- **Interface**: Standard SPI (Serial Peripheral Interface)
- **Operating Voltage**: 2.7V to 3.6V
- **Speed**: Up to 104MHz clock frequency
- **Sector Size**: 4KB uniform sectors
- **Page Size**: 256 bytes
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per sector
- **Data Retention**: 20 years
- **Package**: SOP-8 (150mil)
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C
- **Features**: Supports SPI modes 0 & 3, software/hardware write protection, deep power-down mode.

For exact details, refer to the official datasheet from TOS.

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications The GT25Q101 is a 1M-bit serial flash memory manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:  

- **Memory Capacity**: 1M-bit (128K-byte)  
- **Interface**: Serial Peripheral Interface (SPI)  
- **Operating Voltage**:  
  - **VCC**: 2.7V to 3.6V  
  - **VIH (Input High Voltage)**: 0.7 x VCC to VCC + 0.3V  
  - **VIL (Input Low Voltage)**: -0.3V to 0.3 x VCC  
- **Operating Temperature Range**:  
  - **Industrial Grade**: -40°C to +85°C  
- **Clock Frequency**:  
  - **Standard SPI**: Up to 50 MHz  
  - **Dual SPI**: Up to 50 MHz  
  - **Quad SPI**: Up to 50 MHz  
- **Page Size**: 256 bytes  
- **Sector Size**: 4K-byte  
- **Block Size**: 64K-byte  
- **Write Protection**: Software and hardware protection  
- **Data Retention**: 20 years (typical)  
- **Endurance**: 100,000 write/erase cycles per sector (minimum)  
- **Package Options**:  
  - 8-pin SOP (WSON)  
  - 8-pin USON  

This information is based on TOSHIBA's official datasheet for the GT25Q101.