INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The GT25G102 is a NAND flash memory product manufactured by Toshiba (now Kioxia). Here are the key specifications:

- **Density**: 1Gb (128MB)
- **Organization**: 128M x 8 bits
- **Voltage Supply**: 2.7V - 3.6V
- **Interface**: Asynchronous
- **Page Size**: 2KB + 64B (spare area)
- **Block Size**: 128KB (64 pages per block)
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C
- **Package**: TSOP48 (12mm x 20mm)
- **Endurance**: 100,000 program/erase cycles per block
- **Data Retention**: 10 years
- **Commands**: Standard NAND command set

For exact details, refer to the official datasheet from Toshiba/Kioxia.