INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT25G101 is manufactured by Toshiba. It is a 1 Gbit (128M x 8-bit) NAND Flash Memory with a 3.3V power supply. Key specifications include:  

- **Organization**: 128M x 8-bit  
- **Page Size**: 2K + 64 bytes  
- **Block Size**: 128K + 4K bytes  
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Interface**: Asynchronous I/O  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Package**: TSOP48 (12mm x 20mm)  

This device supports a command-driven interface and is designed for high-performance, low-power applications.  

(Source: Toshiba datasheet for GT25G101.)