Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The GT20J321 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Package**: TO-3P(N)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Collector Current (I_C)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **Features**: Low saturation voltage, high-speed switching  

For precise details, always refer to the official Toshiba datasheet.