INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS The GT20J311 is a thyristor (SCR) manufactured by **Toshiba**. Below are the key specifications from the datasheet:  

- **Type**: Gate Turn-Off Thyristor (GTO)  
- **Voltage (VDRM/VRRM)**: 1200V  
- **Current (IT(RMS))**: 20A  
- **On-State Voltage (VTM)**: 2.5V (typical at IT = 20A)  
- **Gate Trigger Current (IGT)**: 200mA (max)  
- **Gate Turn-Off Current (IGQ)**: 2A (min)  
- **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt)**: 500V/µs (min)  
- **Operating Temperature Range (Tj)**: -40°C to +125°C  
- **Package**: TO-220AB (isolated tab)  

For exact performance curves and additional details, refer to the official Toshiba datasheet.