INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The GT20G101 is a thyristor manufactured by TOS (Toshiba). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: Reverse Conducting Thyristor (RCT)  
- **Voltage Rating (VDRM/VRRM)**: 2000V  
- **Current Rating (IT(RMS))**: 20A  
- **On-State Current (IT(AV))**: 20A  
- **Gate Trigger Current (IGT)**: 30mA (max)  
- **Gate Trigger Voltage (VGT)**: 1.5V (max)  
- **Holding Current (IH)**: 200mA (max)  
- **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt)**: 1000V/µs (min)  
- **Operating Temperature Range (Tj)**: -40°C to +125°C  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are for standard operating conditions. For detailed electrical and thermal characteristics, refer to the official datasheet from Toshiba.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS The part GT20G101 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. It is a Gate Turn-off Thyristor (GTO) with the following specifications:

- **Voltage Rating (VDRM):** 1000V  
- **Current Rating (ITGQM):** 20A  
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Gate Trigger Current (IGT):** 30mA (typical)  
- **Gate Trigger Voltage (VGT):** 1.5V (typical)  
- **On-State Voltage (VTM):** 2.0V (typical at IT = 20A)  
- **Turn-Off Time (tq):** 2.0µs (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  

This device is designed for high-power switching applications.