INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The part GT20D101 is manufactured by Toshiba (TOS). It is a power transistor with the following specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 600V  
- **Collector Current (I_C)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 (min)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the key technical specifications for the GT20D101 transistor from Toshiba.