INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS The GT15Q311 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are its specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage Rating**: 1500V  
3. **Current Rating**: 15A  
4. **Package**: TO-3P(N)  
5. **Applications**: Power switching applications such as inverters, converters, and motor drives.  
6. **Features**:  
   - Low saturation voltage  
   - High-speed switching  
   - Built-in fast recovery diode  

For detailed electrical characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.