INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The GT15Q102 is a NAND flash memory device manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Memory Type**: NAND Flash  
2. **Density**: 1Gb (Gigabit)  
3. **Organization**:  
   - 128M x 8 bits  
   - 256K pages x 4 planes  
4. **Page Size**:  
   - Main area: 2KB + 64B spare  
5. **Block Size**: 128KB (64 pages per block)  
6. **Supply Voltage**:  
   - VCC: 2.7V - 3.6V  
7. **Interface**: Asynchronous I/O  
8. **Operating Temperature**:  
   - Commercial: 0°C to +70°C  
   - Industrial: -40°C to +85°C  
9. **Package**:  
   - TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  
10. **Endurance**:  
    - 100,000 program/erase cycles (typical)  
11. **Data Retention**:  
    - 10 years (at 25°C)  

These specifications are based on Toshiba's official documentation for the GT15Q102 NAND flash memory.