Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The GT15J321 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)  
2. **Package**: TO-3P(N)  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CES)**: 600V  
4. **Collector Current (I_C)**: 15A  
5. **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 100W  
6. **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
7. **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to 150°C  
8. **Switching Characteristics**:  
   - Turn-on delay time (t_d(on)): Typically 40ns  
   - Turn-off delay time (t_d(off)): Typically 200ns  
9. **Applications**: Used in power switching applications such as inverters, motor drives, and power supplies.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.