Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications The part GT15J321 is manufactured by TOS (Toshiba). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (V_CES)**: 1500V  
- **Current (I_C)**: 15A  
- **Package**: TO-247  
- **Power Dissipation (P_C)**: 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.5V (typical at I_C = 15A, V_GE = 15V)  
- **Switching Characteristics**:  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 75ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 300ns (typical)  
  - Rise Time (t_r): 50ns (typical)  
  - Fall Time (t_f): 150ns (typical)  

These are the confirmed specifications for the GT15J321 IGBT from TOS (Toshiba).