TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT The part GT10J321 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Toshiba  
- **Part Number**: GT10J321  
- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces)**: 600V  
- **Current Rating (Ic)**: 20A  
- **Package**: TO-220F (isolated type)  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat))**: 1.8V (typical at Ic=10A, Vge=15V)  
- **Switching Characteristics**:  
  - Turn-on Delay Time (td(on)): 50ns (typical)  
  - Turn-off Delay Time (td(off)): 200ns (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to 150°C  

This information is based on Toshiba's datasheet for the GT10J321 IGBT.