INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS The part GT10J312 is a thyristor manufactured by TOS (Toshiba). Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Reverse Blocking Triode Thyristor (SCR)  
2. **Voltage Rating**:  
   - Repetitive Peak Off-State Voltage (VDRM): 1200V  
   - Non-Repetitive Peak Off-State Voltage (VDSM): 1400V  
3. **Current Rating**:  
   - Average On-State Current (IT(AV)): 10A  
   - Non-Repetitive Surge Current (ITSM): 100A (for 10ms)  
4. **Gate Triggering Parameters**:  
   - Gate Trigger Voltage (VGT): ≤ 1.5V  
   - Gate Trigger Current (IGT): ≤ 30mA  
5. **On-State Voltage Drop (VTM)**: ≤ 1.7V (at IT = 10A)  
6. **Holding Current (IH)**: ≤ 10mA  
7. **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt)**: ≥ 500V/µs  
8. **Operating Temperature Range**: -40°C to +125°C  
9. **Package**: TO-220AB (isolated tab)  

These are the factual specifications for the GT10J312 thyristor from TOS.