INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS The part **GT10J311** is manufactured by **TOS** (Toshiba). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
2. **Voltage (V_CES)**: 600V  
3. **Current (I_C)**: 10A  
4. **Package**: TO-220F  
5. **Switching Characteristics**:  
   - Turn-on time (t_on): Typically 0.18µs  
   - Turn-off time (t_off): Typically 0.35µs  
6. **Maximum Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
7. **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
8. **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 1.8V (typical at I_C = 10A)  

These are the confirmed specifications for the **GT10J311** from TOS (Toshiba).