1000 BASE -T MAGNETICS MODULES The GST5009CLF is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Here are its key specifications:  

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Package**: TO-3P(N)  
- **Voltage (V_CES)**: 600V  
- **Current (I_C)**: 50A  
- **Power Dissipation (P_C)**: 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 50A, V_GE = 15V)  

This information is based on Toshiba's datasheet for the GST5009CLF.

1000 BASE -T MAGNETICS MODULES The GST5009CLF is manufactured by LB (Littelfuse). Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: Gas Discharge Tube (GDT) Surge Protector  
- **DC Sparkover Voltage**: 90V (min) – 150V (max)  
- **Impulse Sparkover Voltage (1kV/μs)**: 200V (max)  
- **Nominal DC Breakdown Voltage**: 90V – 150V  
- **Insulation Resistance**: >1GΩ  
- **Capacitance**: ≤1.5pF  
- **Maximum Surge Current (8/20μs)**: 10kA  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Package**: Axial Leaded  

This information is strictly factual based on the provided knowledge base.